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产品描述
太阳能分为晶硅电池和非晶硅电池，晶硅电池分为多晶和单晶硅电池（尺寸有125和156两种），非晶硅薄膜电池按原料分很多种：砷化镓、碲化镉、铟铜镓锡等等！，吉林太阳能电池片生产！
单晶效率（18-19%）比多晶高（16.5%-17.5%),单晶成本比多晶高!
晶体硅电池成本比非晶硅电池高，效率也比非晶硅（9%-11%）高，但非晶硅比晶体硅有特色：比如非晶柔性电池，吉林太阳能电池片生产、透光效果等，吉林太阳能电池片生产，是晶体硅做不到的！
太阳能电池比较大的优点是绿色、环保、寿命长（60年），缺点是投资大、资源间歇性！ 太阳能电池片PE工序有辐射吗？吉林太阳能电池片生产
1）太阳能光强。太阳能电池就是把太阳光转化为电的一种器件，在一般的情况下（注意条件），太阳能电池的效率随光强增加而增加的。再进一步说就是太阳能电池效率和安装地的综合气候条件有关系。2）电池的材料。不同的材料对光的吸收系数不同，禁带宽度也不同，**效率自然也不同，电池效率自然也不同了。一般来说，单晶硅/多晶硅对光的系数系数远小于非晶硅的，所以非晶硅太阳能电池厚度仅仅有单晶硅/多晶硅厚度的百分之一即可较好的吸收太阳光。另外理论上讲GaAs太阳能电池的极限效率要大于其他太阳能电池的极限效率，因为GaAs太阳电池的禁带宽度在1.4ev，和地面太阳光光谱能量的较值较为接近。3）工艺水平。不同的工艺水平，电池的效率自然也不同，看看各个厂子就很明白了，为什么原材料几乎都一样，做出来的电池效率却差别很大，原因就在这。工艺水平自然和设备水平有着重要的关系，一般来说设备越是先进工艺就越***，电池效率就越高（工艺是设备的产物，没有设备工艺无法实现，都是空想）。典型的例子就是SiN:H减反膜以及倒金字塔结构，一块电池如果不采用这两种工艺，效率差别会很大（大概8%左右）。吉林太阳能电池片生产太阳能电池片虚焊、过焊有什么原因与影响？
光伏电池的发电原理可说就是光伏发电原理：
光伏发电是利用半导体界面的光生伏***应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。
光伏发电的主要具体原理是半导体的光电效应。光子照射到金属上时，它的能量可以被金属中某个电子全部吸收，电子吸收的能量足够大，能克服金属内部引力做功，离开金属表面逃逸出来，成为光电子。硅原子有4个外层电子，如果在纯硅中掺入有5个外层电子的原子如磷原子，就成为N型半导体；若在纯硅中掺入有3个外层电子的原子如硼原子，形成P型半导体。当P型和N型结合在一起时，接触面就会形成电势差，成为太阳能电池。当太阳光照射到P－N结后，空穴由P较区往N较区移动，电子由N较区向P较区移动，形成电流。
上面所说的光电效应就是光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子(光波)转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。
现在工业生产太阳能电池片的硅片，都是P型衬底，意思是之前已经掺杂三族元素了，我们只需要进行磷扩散，就可以形成P-N结。
以n型半导体为底板结构的结晶硅类太阳能电池与以p型半导体为底板的结构相比，前者对杂质的抵抗性更大，在理论上更易提高能量转换效率。不过，此前许多结晶硅类太阳能电池几乎都采用以p型半导体为底板的结构。原因是在较厚的p型半导体上能够形成非常薄的n型半导体层。
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的p型半导体层的单晶硅太阳能电池，其能量转换效率达到了23.4％。太阳能电池单元面积为2cm见方。 太阳能电池片切割后功率和电流变化！
太阳能电池的输出功率一方面与外部环境有关，另一方面与负载情况有关，因此光伏电池输出功率必须加以控制，使它在各种情况下都输出比较大的功率。
1、电池测试：电池测试即通过测试电池的输出参数的大小对其进行分类，以提高电池的利用率，做出量合格的电池组件。
2、正面焊接：是将汇流带焊接到电池正面（负极）的主栅线上，汇流带为镀锡的铜带，将焊带以多点的形式点焊在主栅线上。
3、背面串接：背面焊接是将3
6片电池串接在一起形成一个组件串。
4、 层压敷设：背面串接好且经过检验合格后，将组件串、玻璃和切割好的EVA 、玻璃纤维、背板按照一定的层次敷设好，准备层压。玻璃事先涂一层试剂（primer）以增加玻璃和EVA的粘接强度。敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置，调整好电池间的距离，为层压打好基础。
5、件层压：将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起，***冷却取出组件。
6、修边：层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除。
7、装框：类似与给玻璃装一个镜框，给玻璃组件装铝框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使用寿命。
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六、镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。 吉林太阳能电池片生产
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