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六、镀减反射膜

  抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率，北京硅太阳能电池片公司,需要沉积一层氮化硅减反射膜。工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜，北京硅太阳能电池片公司。一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，北京硅太阳能电池片公司，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。

太阳能电池的输出功率一方面与外部环境有关，另一方面与负载情况有关，因此光伏电池输出功率必须加以控制，使它在各种情况下都输出比较大的功率。

1、电池测试：电池测试即通过测试电池的输出参数的大小对其进行分类，以提高电池的利用率，做出量合格的电池组件。

2、正面焊接：是将汇流带焊接到电池正面（负极）的主栅线上，汇流带为镀锡的铜带，将焊带以多点的形式点焊在主栅线上。

3、背面串接：背面焊接是将3

6片电池串接在一起形成一个组件串。

4、 层压敷设：背面串接好且经过检验合格后，将组件串、玻璃和切割好的EVA 、玻璃纤维、背板按照一定的层次敷设好，准备层压。玻璃事先涂一层试剂（primer）以增加玻璃和EVA的粘接强度。敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置，调整好电池间的距离，为层压打好基础。

5、件层压：将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起，***冷却取出组件。

6、修边：层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除。

7、装框：类似与给玻璃装一个镜框，给玻璃组件装铝框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使用寿命。


硅太阳能电池的性能参数主要有：短路电流、开路电压、峰值电流、峰值电压、峰值功率、填充因子和转换效率等。

①短路电流(isc)：当将太阳能电池的正负极短路、使u=0时，此时的电流就是电池片的短路电流，短路电流的单位是安培(a)，短路电流随着光强的变化而变化。

②开路电压(uoc)：当将太阳能电池的正负极不接负载、使i=0时，此时太阳能电池正负极间的电压就是开路电压，开路电压的单位是伏特(v)。单片太阳能电池的开路电压不随电池片面积的增减而变化，一般为0.5～0.7v。

③峰值电流(im)：峰值电流也叫比较大工作电流或比较好工作电流。峰值电流是指太阳能电池片输出比较大功率时的工作电流，峰值电流的单位是安培(a)。

④峰值电压(um)：峰值电压也叫比较大工作电压或比较好工作电压。峰值电压是指太阳能电池片输出比较大功率时的工作电压，峰值电压的单位是v。峰值电压不随电池片面积的增减而变化，一般为0.45～0.5v，典型值为0.48v。




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