产品描述

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太阳能电池的性能参数主要有：短路电流、开路电压、峰值电流、峰值电压、峰值功率、填充因子和转换效率等。当然还有电流和电压参数的温度系数，

各参数具体解释如下：


①短路电流(isc)：当将太阳能电池的正负极短路、使u=0时，此时的电流就是电池片的短路电流，短路电流的单位是安培(a)，短路电流随着光强的变化而变化。

②开路电压(uoc)：当将太阳能电池的正负极不接负载、使i=0时，此时太阳能电池正负极间的电压就是开路电压，吉林非晶硅太阳能电池片进口，开路电压的单位是伏特(v)。单片太阳能电池的开路电压不随电池片面积的增减而变化，一般为0.5～0.7v，吉林非晶硅太阳能电池片进口。

③峰值电流(im)：峰值电流也叫比较大工作电流或比较好工作电流。峰值电流是指太阳能电池片输出比较大功率时的工作电流，峰值电流的单位是安培(a)，吉林非晶硅太阳能电池片进口。

④峰值电压(um)：峰值电压也叫比较大工作电压或比较好工作电压。峰值电压是指太阳能电池片输出比较大功率时的工作电压，峰值电压的单位是v。峰值电压不随电池片面积的增减而变化，一般为0.45～0.5v，典型值为0.48v。


多晶硅太阳电他的出现主要是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电池加工工艺进行改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要采用吸杂、钝化、背场等技术。

常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结形成，也可同时形成电池的背场。近几年在吸杂上的工作证明，它对***单晶硅太阳电池及多晶硅太阳电池都会产生一定的作用。

钝化是提高多晶硅质量的有效方法。一种方法是采用氢钝化，钝化硅体内的悬挂键等缺点。在晶体生长中受应力等影响造成缺点越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。

在***太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电他的效率，近年来在光伏级的晶体硅材料上使用也有明显的效果，尤其采用热氧化法效果更明显。使用PECVD法在更低的温度下进行表面氧化，近年来也被使用，具有一定的效果。

多晶硅(p-Si)

熔融硅在顺控条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。

结晶后的多晶硅经开方、倒角、切片等一系列的工艺加工后的成品硅片即为多晶硅片

多晶硅片的表观为深蓝色的方片


单晶硅(c-Si)

以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种（籽晶）上结晶而成由于其晶体的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齐排列所以称为单晶硅。

单晶硅棒经截断、取方、切片后得到的成品硅片即为单晶硅片

单晶硅片表观为金属灰色的准方片


单晶硅电池光电转换率较高可,但价格较高。多晶硅电池价格相对较低转换效率也相对低些。但多晶硅片的产量、规模较单晶硅易扩大。


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