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产品描述
⑤峰值功率(pm)：峰值功率也叫比较大输出功率或比较好输出功率。峰值功率是指太阳能电池片正常工作或测试条件下的比较大输出功率，也就是峰值电流与峰值电压的乘积：pm===im×um。峰值功率的单位是w(瓦)。太阳能电池的峰值功率取决于太阳辐照度、太阳光谱分布和电池片的工作温度，因此太阳能电池的测量要在标准条件下进行，测量标准为欧洲**的101号标准，其条件是：辐照度lkw／㎡、光谱aml，黑龙江薄膜太阳能电池片.5、测试温度25℃。
⑥填充因子(ff)：填充因子也叫曲线因子，是指太阳能电池的比较大输出功率与开路电压和短路电流乘积的比值。计算公式为ff=pm/(isc×uoc)。填充因子是评价太阳能电池输出特性好坏的一个重要参数，它的值越高，表明太阳能电池输出特性越趋于矩形，电池的光电转换效率越高。
串、并联电阻对填充因子有较大影响，太阳能电池的串联电阻越小，并联电阻越大，填充因子的系数越大。填充因子的系数一般在0.5～0.8之间，黑龙江薄膜太阳能电池片，也可以用百分数表示。
⑦转换效率(η)：转换效率是指太阳能电池受光照时的比较大输出功率与照射到电池上的太阳能量功率的比值，黑龙江薄膜太阳能电池片。即：
η=pm(电池片的峰值效率)/a（电池片的面积）×pin（单位面积的入射光功率），其中pin=lkw／㎡=100mw／cm2。
Pmpp：比较大工作功率； Umpp：比较大工作电压； Impp：比较大工作电流；
对于设计好芯片结构的太阳能电池，每一步的工序都影响着它的性能。其中半导体材料本身的质量影响着少子寿命的大小，从而影响着太阳能电池的**效率。
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对于设计好芯片结构的太阳能电池，每一步的工序都影响着它的性能。其中半导体材料本身的质量影响着少子寿命的大小，从而影响着太阳能电池的**效率。
太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理的原理：
半导体的掺杂扩散，主要是依靠了离子从高浓度像低浓度区域扩散的原理。在太阳能的硅片中，把杂质原子的气相源靠近硅片，加热后，使其慢慢扩散，杂质原子会慢慢的深入硅片中，浓度从硅片边缘到内部是逐渐降低的。
半导体中的掺杂是指在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。