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五、等离子刻蚀

  由于在扩散过程中,即使采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路。因此,必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体,辽宁单晶硅太阳能电池片分类。等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,辽宁单晶硅太阳能电池片分类,还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,辽宁单晶硅太阳能电池片分类,在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应,并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面,被真空系统抽出腔体。

单片的电压0.5-0.6V

转换机率该太阳能电池板的功率为5W, 面积为:0.03平方米,

则它的效率为:5/0.03/1000=0.167=16.7%,

也就是它将平方米1000W 太阳光能量的16.7%转换成了电能


太阳能电池的能量转化效率η表示入射的太阳光能量有多少能转换为有效的电能。

η=(太阳能电池的输出功率/入射的太阳光功率)x**

= (Vop x Iop/Pin x S)X**

= (Voc.Isc.FF) /(Pin .S )

其中Pin是入射光的能量密度,S为太阳能电池的面积,当S是整个太阳能电池面积时,η称为实际转换效率,当S是指电池中的有效发电面积时,η叫本征转换效率。

Voc开路电压 ,Isc闭路电流,FF填充因子(应在0.70-0.85之间)

组件的电阻有并联电阻和串联电阻之分:

串联电阻影响太阳电池的正向伏安特性,使得正向偏压较低时电流大于理想值,正向偏压增大时伏安特性偏离**关系;并联电阻产生的漏电流影响反向特性和正向小偏压特性,使正向偏压较低时电流大于理想值,使反向电流不能饱和,在反向偏压较大时电流电压偏离**关系。另一方面,并联电阻Rsh影响太阳电池开路电压,Rsh减小会使开路电压降低,但对短路电流基本没有影响;串联电阻Rs影响短路电流,Rs增大会使短路电流降低,而对开路电压没有影响;Rsh的减小和Rsh的增大都会使太阳电池的填充因子和光电转换效率降低。


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